會(huì)上，總經(jīng)理助理張奎從電力電子器件、IGBT模塊介紹、小功率系列產(chǎn)品、中功率系列產(chǎn)品、其他類型產(chǎn)品及2021年半導(dǎo)體研究報(bào)告等六個(gè)方面闡述了關(guān)于半導(dǎo)體器件方面的相關(guān)知識(shí)，特別對(duì)IGBT模塊的優(yōu)缺點(diǎn)、工作原理、工藝流程及應(yīng)用領(lǐng)域作了詳細(xì)講解。IGBT是由BJT（雙極型三極管）和MOSFET（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組合成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式半導(dǎo)體器件，作為一種新型電力電子器件，在國(guó)際上是公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命具有代表性的產(chǎn)品，已廣泛應(yīng)用到各個(gè)領(lǐng)域。

      此次技術(shù)培訓(xùn)內(nèi)容豐富，注重實(shí)效，既是一次技術(shù)提升，也是一次工作助推，為進(jìn)一步做好后續(xù)技術(shù)研發(fā)工作和市場(chǎng)營(yíng)銷推廣奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。參會(huì)人員表示受益匪淺，將會(huì)把學(xué)習(xí)到的知識(shí)運(yùn)用到崗位工作中，為企業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展、高效益增長(zhǎng)貢獻(xiàn)力量。